IXFH36N50P Transistor - N-MOSFET 36A 500V (TO247)

N-kanal Power-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien. N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS.

Tekniske detaljer:

• Kanaltype: N
• Drain-strøm kontinuerlig maks.: 36 A
• Drain source spænding maks.: 500 V
• Drain source modstand maks.: 170 m?
• Maks. tærskelspænding for port: 5V
• Gate source spænding maks.: -30 V, +30 V
• Kapslingstype: TO-247AD
• Elektrisk montage: Printhul
• Benantal: 3
• Transistorkonfiguration: Enkelt
• Kanalform: Enhancement
• Kategori: Effekt MOSFET
• Effektafsættelse maks.: 540 W
• Gate-ladning ved Vgs typisk: 93 nC ved 10 V
• Driftstemperatur min.: -55 °C
• Tænd-forsinkelsestid typisk: 25 ns
• Slukke-forsinkelsestid typisk: 75 ns
• Antal elementer per chip: 1
• Størelse: 16,26 x 5,3 x 21,46mm
• Driftstemperatur maks.: +150 °C
• Serie: HiperFET, Polar
• Indgangskapacitet ved Vds typisk: 5500 pF ved 25 V
• Transistormateriale: Si